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TPW2900ENH,L1Q(M
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, 表面安装
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPW2900ENH,L1Q(M
库存编号4173249RL
也称为TPW2900ENH, TPW2900ENH,L1Q
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续36A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型DSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散142W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围U-MOSVIII-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
DSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
142W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSVIII-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001