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TTA1943(Q)
单晶体管 双极, 音频, PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, 通孔
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| 10+ | CNY16.700 (CNY18.871) |
| 100+ | CNY15.220 (CNY17.1986) |
| 500+ | CNY13.740 (CNY15.5262) |
| 1000+ | CNY12.270 (CNY13.8651) |
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产品概述
The TTA1943 from Toshiba is a through hole PNP silicon epitaxial transistor in TO-3 package. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is -230V
- Collector current (Ic) is -15A
- Power dissipation (Pd) is 150W
- Collector to emitter saturation voltage of -3V at -8A collector current
- DC current gain (hFE) of 80 at -1A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
15A
晶体管封装类型
TO-3PL
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
产品范围
-
最大集电极发射电压
230V
功率耗散
150W
晶体管安装
通孔
过渡频率
30MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015876