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5+ | CNY398.950 (CNY450.8135) |
10+ | CNY352.870 (CNY398.7431) |
50+ | CNY351.230 (CNY396.8899) |
100+ | CNY349.590 (CNY395.0367) |
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.021ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
342W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.006