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TW083N65C,S1F(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY121.030 (CNY136.7639) |
| 5+ | CNY103.360 (CNY116.7968) |
| 10+ | CNY85.140 (CNY96.2082) |
| 50+ | CNY80.980 (CNY91.5074) |
| 100+ | CNY76.690 (CNY86.6597) |
| 250+ | CNY75.160 (CNY84.9308) |
包装规格：每个
最低: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.113ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
111W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006