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TW083N65C,S1F(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TW083N65C,S1F(S
库存编号4049754
也称为TW083N65C ,TW083N65C,S1F
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.113ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散111W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.113ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
111W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006