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TW123V65C,LQ(S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY79.930 (CNY90.3209) |
| 5+ | CNY68.610 (CNY77.5293) |
| 10+ | CNY56.910 (CNY64.3083) |
| 50+ | CNY54.210 (CNY61.2573) |
| 100+ | CNY51.450 (CNY58.1385) |
| 250+ | CNY50.420 (CNY56.9746) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
18A
漏源接通状态电阻
0.183ohm
针脚数
5引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
76W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000175