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TP65H070G4RS-TR
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY43.200 (CNY48.816) |
| 50+ | CNY41.650 (CNY47.0645) |
| 100+ | CNY40.100 (CNY45.313) |
| 250+ | CNY38.540 (CNY43.5502) |
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号TP65H070G4RS-TR
库存编号4371973RL
产品范围SuperGaN Series
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续29A
漏源接通状态电阻0.085ohm
栅极电荷(典型值)9nC
晶体管封装类型TOLT
晶体管安装表面安装
针脚数16引脚
产品范围SuperGaN Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管封装类型
TOLT
针脚数
16引脚
合规
-
电流, Id 连续
29A
栅极电荷(典型值)
9nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
SuperGaN Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002