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TP65H300G4LSG-TR
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号TP65H300G4LSG-TR
库存编号4371978RL
产品范围SuperGaN Series
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续6.5A
漏源接通状态电阻0.312ohm
栅极电荷(典型值)9.6nC
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
产品范围SuperGaN Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.312ohm
晶体管封装类型
PQFN
针脚数
3引脚
合规
-
电流, Id 连续
6.5A
栅极电荷(典型值)
9.6nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
SuperGaN Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：1.42