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10+ | CNY80.940 (CNY91.4622) |
100+ | CNY80.470 (CNY90.9311) |
500+ | CNY79.990 (CNY90.3887) |
800+ | CNY79.520 (CNY89.8576) |
1600+ | CNY79.040 (CNY89.3152) |
2400+ | CNY78.570 (CNY88.7841) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
41A
漏源接通状态电阻
0.042ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
D2PAK
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
176W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0014