打印页面
UJ3C065080K3S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY76.240 (CNY86.1512) |
| 5+ | CNY70.770 (CNY79.9701) |
| 10+ | CNY65.300 (CNY73.789) |
| 50+ | CNY59.870 (CNY67.6531) |
| 100+ | CNY54.430 (CNY61.5059) |
| 250+ | CNY51.270 (CNY57.9351) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY76.24 (CNY86.15 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UJ3C065080K3S
库存编号4014258
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续31A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散190W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
31A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
190W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0062