打印页面
IRF610PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, 通孔
830 有货
需要更多？
20 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
810 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
| 10+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
| 100+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 5000+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY3.67 (CNY4.15 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRF610PBF
库存编号8648328
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续3.3A
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散36W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.3A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
36W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
IRF610PBF 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002