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IRF730APBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
The IRF730APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
- Simple drive requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.5A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
400V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRF730APBF 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002