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产品概述
IRFI820GPBF 是一款第三代N沟道增强型功率MOSFET, 快速开关, 坚固耐用, 低导通电阻。FULLPAK无需额外的绝缘硬件。模塑化合物提供高隔离能力和低热阻。隔离效果相当于100 micron云母隔离层。FULLPAK可配合夹子或螺丝, 在器件上安装散热器。
- 隔离封装
- 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz)高压隔离
- 4.8mm ‘Sink to lead’爬电距离
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.1A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
30W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
3ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
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产品合规证书
重量(千克):.002