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IRFR320PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFR320PBF
库存编号8649758
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds400V
电流, Id 连续3.1A
漏源接通状态电阻1.8ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
IRFR320PBF 是一款第三代N沟道增强型功率MOSFET, 快速开关性能, 坚固耐用设计, 低导通电阻。DPAK可兼容气相, 红外或波峰焊技术, 表面安装设计。典型的表面安装应用, 功耗可达1.5W。
- 动态dV/dt额定值
- 易于并联
- 表面安装
- 重复性雪崩评测
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
400V
漏源接通状态电阻
1.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000953