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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFU9120PBF
库存编号8650136
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续5.6A
漏源接通状态电阻0.6ohm
晶体管封装类型TO-251AA
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Straight lead
- Repetitive avalanche rated
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
TO-251AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454