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IRF640PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
IRF640PBF 是一款 200V N 沟道功率 MOSFET，第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计和低导通电阻的最佳组合。该封装普遍适用于功率耗散水平约为 50W 的所有商业工业应用。
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 175°C 工作温度
- 易于并行
- 简单的驱动要求
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454