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IRFD210PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.130 (CNY15.9669) |
| 10+ | CNY9.010 (CNY10.1813) |
| 100+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 500+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 1000+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
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产品概述
The IRFD210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- For automatic insertion
- End stackable
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
DIP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000581