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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRF510PBF
库存编号1653658
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续5.6A
漏源接通状态电阻0.54ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散43W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
43W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.54ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
IRF510PBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000945