打印页面
IRF510PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, 通孔
5,787 有货
1,000 您现在可以预订货品了
5787 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.960 (CNY7.8648) |
| 10+ | CNY4.210 (CNY4.7573) |
| 100+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 500+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
| 1000+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 5000+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY6.96 (CNY7.86 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
43W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.54ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRF510PBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000945