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SI1022R-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, 表面安装
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1022R-T1-GE3
库存编号2098044
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续330mA
漏源接通状态电阻1.25ohm
晶体管封装类型SC-75A
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散250mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1022R-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 25ns Fast switching speed
- 30pF Low input capacitance
- Low input and output leakage
- Miniature package
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low error voltage
- Small board area
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
330mA
晶体管封装类型
SC-75A
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009