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SI1922EDH-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1922EDH-T1-GE3
库存编号2056714
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
漏源通态电阻N沟道0.165ohm
漏源导通电阻P沟道0.165ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- ESD protected device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源导通电阻P沟道
0.165ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.165ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000073