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SI2302DDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 2.6 A, 0.045 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
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| 5000+ | CNY0.804 (CNY0.9085) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2302DDS-T1-GE3
库存编号2400359
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.6A
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散710mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI2302DDS-T1-GE3 是一款20VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关, DC-DC转换器应用。
- 100％Rg经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
710mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033