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SI2318CDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 50+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 100+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 500+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 1500+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY10.80 (CNY12.20 含税)
品項附註
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产品概述
- N-channel 40V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in DC/DC converters, load switch
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2318CDS-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001