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SI2337DS-T1-E3.
晶体管, P沟道
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| 10+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2337DS-T1-E3.
库存编号1792186
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.216ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压6V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
6V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.216ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI2337DS-T1-E3. 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091