打印页面
SI3474DV-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, 表面安装
1,293 有货
需要更多？
1293 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 10+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
| 100+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 500+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 1000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
| 5000+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY19.40 (CNY21.92 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3474DV-T1-GE3
库存编号2400361
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续3.8A
漏源接通状态电阻0.102ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值-V
功率耗散3.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI3474DV-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关, 升压转换器, LCD电视LED背光, DC-DC转换器应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.8A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.102ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005