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SI4090DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4090DY-T1-GE3
库存编号2364058
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续19.7A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散7.8W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI4090DY-T1-GE3 是一款100V N沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于电信和服务器应用。可用于DC/DC初级侧开关和同步整流电路。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准
- 100% Rg经过测试
- 100%经过UIS测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001