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SI4190ADY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 18.4 A, 0.0088 ohm, SOIC, 表面安装
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| 10+ | CNY9.940 (CNY11.2322) |
| 100+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
| 500+ | CNY6.880 (CNY7.7744) |
| 1000+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 5000+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4190ADY-T1-GE3
库存编号2283674
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续18.4A
漏源接通状态电阻0.0088ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI4190ADY-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于DC-DC初级侧开关, 电信/服务器等应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18.4A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0088ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
SI4190ADY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000254