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SI4204DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
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| 500+ | CNY7.530 (CNY8.5089) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4204DY-T1-GE3
库存编号2335306
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道19.8A
连续漏极电流 Id P沟道19.8A
漏源通态电阻N沟道3800µohm
漏源导通电阻P沟道3800µohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.25W
耗散功率P沟道3.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4204DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and notebook PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
19.8A
漏源导通电阻P沟道
3800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.25W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
19.8A
漏源通态电阻N沟道
3800µohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536