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SI4465ADY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 8 V, 13.7 A, 0.009 ohm, SOIC, 表面安装
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| 500+ | CNY6.710 (CNY7.5823) |
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| 5000+ | CNY6.510 (CNY7.3563) |
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产品概述
- P-channel 1.8-V (G-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
6.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
0.009ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
450mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000138