打印页面
SI4835DDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 8.7 A, 0.018 ohm, SOIC, 表面安装
产品概述
- P-channel 30V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.018ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
SI4835DDY-T1-GE3 的替代之选
找到 4 件产品
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000259