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SI4946BEY-T1-E3.
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.320 (CNY13.9216) |
| 10+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 100+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
| 500+ | CNY6.160 (CNY6.9608) |
| 1000+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
| 5000+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946BEY-T1-E3.
库存编号2119944
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (10-Jun-2022)
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000255