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SI7252DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7252DP-T1-GE3
库存编号2364060
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道36.7A
连续漏极电流 Id P沟道36.7A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道46W
耗散功率P沟道46W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
双N沟道100V（D-S）MOSFET，用于一次侧开关、同步整流和DC/AC逆变器。
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg经过测试
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
36.7A
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
46W
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
36.7A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
46W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001