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SI7430DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7430DP-T1-GE3
库存编号1858972
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续26A
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散5.2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI7430DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and single-ended power switch applications.
- Extremely low Qgd for reduced dV/dt, Qgd and shoot-through
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
26A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000213