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产品概述
SI7489DP-T1-GE3 是一款-100V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。P沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.041ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI7489DP-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000238