打印页面
SI7617DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
34,945 有货
需要更多？
34945 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 10+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 100+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
| 500+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 1000+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 5000+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY4.72 (CNY5.33 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7617DN-T1-GE3
库存编号2101453
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.0123ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI7617DN-T1-GE3 是一款-30V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于笔记本电脑电池充电和适配器开关应用。P沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0123ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7617DN-T1-GE3 的替代之选
找到 7 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000226