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SI7625DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 100+ | CNY4.360 (CNY4.9268) |
| 500+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 1000+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 5000+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7625DN-T1-GE3
库存编号2335369
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.007ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI7625DN-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于适配器开关和负载开关应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.007ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000171