打印页面
SI7994DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0046 ohm
4,270 有货
需要更多？
4270 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.600 (CNY27.798) |
| 10+ | CNY20.260 (CNY22.8938) |
| 100+ | CNY16.590 (CNY18.7467) |
| 500+ | CNY15.270 (CNY17.2551) |
| 1000+ | CNY13.220 (CNY14.9386) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY24.60 (CNY27.80 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The SI7994DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for system power DC-to-DC conversion, notebook and server applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
0.0046ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0046ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001