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SI9407BDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9407BDY-T1-GE3
库存编号2101454
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续4.7A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI9407BDY-T1-GE3 是一款-60V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000564