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SIA931DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
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|---|---|
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| 50+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
| 100+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
| 500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 1500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 3000+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 7500+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA931DJ-T1-GE3
库存编号2400374
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.052ohm
漏源导通电阻P沟道0.052ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SIA931DJ-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET，采用表面安装封装。它适用于电池和负载开关、直流到直流转换器的应用。
- 无卤素
- TrenchFET®Gen III功率MOSFET
- 耐热增强型PowerPAK®封装
- 占位空间小
- 低导通电阻
- 100% Rg经过测试
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.052ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.052ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002