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SIHP33N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHP33N60E-GE3
库存编号2364088
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.099ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散278W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
E series power MOSFET suitable for use in server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers, renewable energy and solar (PV inverters).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qi
- Low input capacitance (Ciss)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra-low gate charge (Qi)
- Avalanche energy rated (UIS)
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
278W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.099ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002853