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SIHP5N50D-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
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| 100+ | CNY4.940 (CNY5.5822) |
| 500+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
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| 5000+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
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SIHP5N50D-GE3 的替代之选
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产品概述
The SIHP5N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
- Low area specific ON-resistance
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Simple gate drive circuitry
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Fast switching
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.3A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
D
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002