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SIR882ADP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR882ADP-T1-GE3
库存编号2364096
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻8700µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散83W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SIR882ADP-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于DC-DC初级侧开关, 电信/服务器, 全桥/半桥DC-DC应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIR882ADP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012