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SIRA18DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
| 10+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 100+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 500+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 1000+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 5000+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRA18DP-T1-GE3
库存编号2364097
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻7500µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散14.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC conversion, battery protection, load switching and DC/AC inverters.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
14.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
7500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012