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SUD09P10-195-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 100+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
| 500+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 1000+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
| 5000+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SUD09P10-195-GE3
库存编号1859014
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续8.8A
漏源接通状态电阻0.195ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SUD09P10-195-GE3 是一款-100V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于DC/DC转换器和电源开关应用。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.195ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000393