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2N7002K-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装
产品概述
2N7002K-T1-GE3是一款TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 具有低输入与输出泄漏.
- 2Ω低导通电阻
- 2V低阈值
- 25pF输入电容
- 25ns快速开关速度
- 静电防护: 2000V
- 无卤素
- 低失调电压
- 低压运行
- 无需缓冲器, 即可驱动
- 高速电路
- 低误差电压
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
190mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
2N7002K-T1-GE3 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008