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| 25+ | CNY3.170 (CNY3.5821) |
| 50+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 100+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
| 500+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号CQY37N
库存编号1045521
技术数据表
峰值波长950nm
半强角度12°
二极管封装类型T-3/4 (1.8mm)
辐射强度 (Ie)800mW/Sr
上升时间800ns
衰减时间 tf-
正向电流 If 平均值50mA
正向电压 Vf 最大值1.3V
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
950nm infrared emitting diode in GaAs suitable for use in radiation source in near infrared range.
- Leaded package type
- T-¾ package form
- High reliability
- Angle of half intensity of ±12°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector BPW17N
技术规格
峰值波长
950nm
二极管封装类型
T-3/4 (1.8mm)
上升时间
800ns
正向电流 If 平均值
50mA
工作温度最小值
-25°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
12°
辐射强度 (Ie)
800mW/Sr
衰减时间 tf
-
正向电压 Vf 最大值
1.3V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000111