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25+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
50+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
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产品概述
950nm infrared emitting diode in GaAs suitable for use in radiation source in near infrared range.
- Leaded package type
- T-¾ package form
- High reliability
- Angle of half intensity of ±12°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector BPW17N
技术规格
峰值波长
950nm
二极管封装类型
T-3/4 (1.8mm)
上升时间
800ns
正向电流 If 平均值
50mA
工作温度最小值
-25°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
12°
辐射强度 (Ie)
800mW/Sr
衰减时间 tf
-
正向电压 Vf 最大值
1.3V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000111