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IRFZ40PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 500+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
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| 5000+ | CNY8.100 (CNY9.153) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号IRFZ40PBF
库存编号1611644
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The IRFZ40PBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002658