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SI1012CR-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, 表面安装
产品概述
The SI1012CR-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 1.2V Rated voltage
- 100% Rg tested
- 1000V Gate-source ESD protected
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SC-75A
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
240mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.396ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363