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SI1012R-T1-GE3.
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 600mA, SOT-416-3
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1012R-T1-GE3.
库存编号2459400
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续600mA
漏源接通状态电阻0.41ohm
晶体管封装类型SOT-416
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散150mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
SOT-416
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.41ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000028