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SI1016CX-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1016CX-T1-GE3
库存编号2056711RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续600mA
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道600mA
在电阻RDS（上）0.33ohm
连续漏极电流 Id P沟道600mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.33ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.33ohm
阈值栅源电压最大值400mV
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
功耗 Pd220mW
耗散功率N沟道220mW
耗散功率P沟道220mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1016CX-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with load switch, small signal switches and level-shift switches, battery operated systems and Portable applications. It offers high-side switching, ease in driving switches and low offset (error) voltage.
- TrenchFET® power MOSFET
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- 100% Rg tested
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
600mA
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.33ohm
漏源导通电阻P沟道
0.33ohm
晶体管封装类型
SOT-563
功耗 Pd
220mW
耗散功率P沟道
220mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.33ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
220mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002