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SI1032R-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 10+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 100+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 500+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 1000+ | CNY0.989 (CNY1.1176) |
| 5000+ | CNY0.976 (CNY1.1029) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1032R-T1-GE3
库存编号1794805
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续140mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SC-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散250mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI1032R-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 35ns Fast switching speed
- 1.5V Rated voltage
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
140mA
晶体管封装类型
SC-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005